三星李在镕重返经营一线：出席半导体研发园区动工仪式

8月19日电 据韩联社报道，三星电子副会长李在镕19日先后访问其公司位于京畿道器兴和华城的半导体厂，盘点半导体事务。这是李在镕获特赦重返经营一线后的第一个公开日程。

报道称，李在镕当天出席在京畿道器兴园区举行的下一代半导体研发(R D)园区动工仪式。该研发园区总面积约10.9万平方米，将主管NAND闪存、晶圆代工等新技术研发。三星电子计划到2028年对该园区投资约20万亿韩元(约人民币1030亿元)。

三星电子相关人士表示，若建成具备尖端设备的研发中心，有望缩短新一代产品研发时间，提升半导体质量。

动工仪式结束后，李在镕还前往华城半导体厂与企业干部员工座谈。他还在半导体研究所主持召开DS(半导体)部门社长团队会议，探讨半导体产业热点问题、风险、下一代半导体技术研发进展情况、提升技术竞争力等方案。

分析认为，李在镕在获赦复权后先视察半导体厂可能旨在盘点公司未来核心业务，不想辜负国民对其助力克服经济危机的期望。

【编辑:孔庆玲】

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